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(b)-(d)是在(a)中标记的时刻的电影快照，全国千瓦以显示缺口尖端位错构型的演变，这导致了LAGB((c)和(d))的形成。(D)本研究中Sn0.91Pb0.09Se与最先进的p型热电材料之间的PF比较，各电从低温（T-excessBi0.5Sb1.5Te3,BST）到中温（MgAgSb,PbTe,空穴掺杂的SnSe）范围。

力交量图3 电子能带结构与温度的关系(A)SnSe在300K时的电子能带结构。Pb合金化进一步促进了这种电子带的合成，心累同时优化了载流子迁移率和塞贝克系数，从而在Sn0.91Pb0.09Se晶体中产生了超高的PF和ZT值。

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